کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
740496 | 894170 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stimulated Raman amplification and lasing in silicon photonic band gap nanocavities
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Stimulated Raman amplification and lasing in silicon photonic band gap nanocavities Stimulated Raman amplification and lasing in silicon photonic band gap nanocavities](/preview/png/740496.png)
چکیده انگلیسی
The concept and design of L5 photonic band gap nanocavities in two-dimensional (2D) photonic crystal (PhCs) slabs for enhancement of stimulated Raman amplification and lasing in monolithic silicon is suggested for the first time. Specific high quality factor (Q) and small modal volume nanocavities are designed which supports the required pump–Stokes modal spacing in silicon, with ultra-low lasing thresholds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 133, Issue 2, 12 February 2007, Pages 278–282
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 133, Issue 2, 12 February 2007, Pages 278–282
نویسندگان
Xiaodong Yang, Chee Wei Wong,