کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
743134 | 894343 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen sensing of N-polar and Ga-polar GaN Schottky diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
N-polar and Ga-polar GaN grown on c-plane sapphire were used to fabricate platinum deposited Schottky contacts for hydrogen sensing at room temperature. After exposure to hydrogen, Ga-polar GaN Schottky barrier reduced by 3–4 meV, while the N-polar GaN Schottky contacts became fully Ohmic. The N-polar GaN Schottky diodes showed stronger and faster response to 4% hydrogen than that of Ga-polar Schottky diodes. The abrupt current increase from N-polar GaN Schottky exposure to hydrogen was attributed to the high reactivity of the N-face surface termination. The surface termination dominates the sensitivity and response time of the hydrogen sensors made of GaN Schottky diodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 142, Issue 1, 12 October 2009, Pages 175–178
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 142, Issue 1, 12 October 2009, Pages 175–178
نویسندگان
Yu-Lin Wang, B.H. Chu, C.Y. Chang, K.H. Chen, Y. Zhang, Q. Sun, J. Han, S.J. Pearton, F. Ren,