کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
750156 | 1461935 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of piezoelectric properties of sputtered AlN on silicon substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report for the first time the temperature dependence of the piezoelectric coefficient d33 of the aluminum nitride (AlN) film measured at temperatures up to 300 °C. A highly c-axis oriented AlN film was successfully deposited on a polycrystalline silicon/silicon dioxide/silicon wafer by a reactive sputtering technique to form a piezoelectric uni-morph actuator. A scanning laser Doppler vibrometer was used to measure the picometer level displacement of the actuator at 20 kHz at different temperatures. The piezoelectric coefficient d33 has a constant value at temperatures ranging between 20 °C and 300 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volumes 130–131, 14 August 2006, Pages 397–402
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volumes 130–131, 14 August 2006, Pages 397–402
نویسندگان
Kazuhiko Kano, Kazuki Arakawa, Yukihiro Takeuchi, Morito Akiyama, Naohiro Ueno, Nobuaki Kawahara,