کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7605230 | 1492262 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Negative ion formation through dissociative electron attachment to the group IV tetrabromides: Carbon tetrabromide, silicon tetrabromide and germanium tetrabromide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- Dissociative electron attachment (DEA) to XBr4 (XÂ =Â C, Si and Ge) from 0 to 10Â eV.
- Appearance energies and product formation in DEA to XBr4 (XÂ =Â C, Si, Ge) are established.
- Complementary fragments Brâ and XF3â and Br2â and XF2â observed for all compounds.
- Dominating contribution through the t2 (LUMO+1) shape resonance in CBr4 and GeBr4.
- Molecular ion and Brâ formation dominates through the a1 resonance (LUMO) from SiBr4.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Mass Spectrometry - Volumes 365â366, 15 May 2014, Pages 275-280
Journal: International Journal of Mass Spectrometry - Volumes 365â366, 15 May 2014, Pages 275-280
نویسندگان
F.H. Ãmarsson, B. Reynisson, M.J. Brunger, M. Hoshino, H. Tanaka, P. Limão-Vieira, O. Ingólfsson,