کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
766581 | 1463084 | 2015 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analytical study on steam-driven delamination and stability of delamination growth in electronic packages
ترجمه فارسی عنوان
یک مطالعه تحلیلی بر خواص بخار و پایداری رشد خوشه در بسته های الکترونیکی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نقص بین فضایی بیضوی، معیار اعتماد جهت رشد دلایل سازی، پایداری رشد دلایل سازی،
ترجمه چکیده
در این مطالعه، نقص بین فضای بیضوی بین ترکیب قالب گیری و بستر در بسته های الکترونیکی به صورت تحلیلی مدل سازی شده است تا جهت رشد خوشه و رشد پاکسازی رشد پاکسازی را بررسی کند. راه حل های تقریبی سرعت آزاد شدن انرژی کشش برای سه الگوی توزیع بر اساس نظریه صفحات ریسنر-میندلین و راه حل یک جفت بیضوی جاسازی شده در جامد بی نهایت بدست می آید. این راه حل ها نشان می دهد که یک نقص بیضوی انتظار می رود که به سمت محور جزئی حرکت کند. نتایج این مطالعه می تواند برای پیش بینی نقاط بحرانی و یا درجه حرارت و ارزیابی قابلیت اطمینان بسته های الکترونیکی استفاده شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی مکانیک
چکیده انگلیسی
In this study, elliptic interfacial defects between the molding compound and the substrate in electronic packages are analytically modeled to investigate delamination growth direction and delamination growth stability. Approximate solutions of strain energy release rate for three delamination patterns are derived based on Reissner-Mindlin plate theory and the solution of an elliptic crack embedded in an infinite solid. These solutions reveal that an elliptic defect is expected to grow into a circular crack along the minor-axis. The results of this study can be used for predicting critical defect sizes or temperatures and evaluating reliability of electronic packages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Engineering Fracture Mechanics - Volume 144, August 2015, Pages 89-100
Journal: Engineering Fracture Mechanics - Volume 144, August 2015, Pages 89-100
نویسندگان
F.L. Guo, X. Niu, B.B. He,