کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8129898 | 1523183 | 2018 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of electrical boundary conditions on profiles of acoustic field and electric potential of shear-horizontal acoustic waves in potassium niobate plates
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر شرایط مرزی الکتریکی بر پروفیل های میدان صوتی و پتانسیل الکتریکی امواج صوتی برشی در صفحات نایوبات پتاسیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پروفایل میدان، توزیع پتانسیل الکتریکی امواج صوتی صفحات جلو و عقب، نیوبات پتاسیم، شرایط مرزی برق سرعت فاز و گروه، لایه رسانایی دلخواه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
آکوستیک و فرا صوت
چکیده انگلیسی
The profiles of an acoustic field and electric potential of the forward and backward shear-horizontal (SH) acoustic waves of a higher order propagating in X-Y potassium niobate plate have been theoretically investigated. It has been shown that by changing electrical boundary conditions on a surface of piezoelectric plates, it is possible to change the distributions of an acoustic field and electric potential of the forward and backward acoustic waves. The dependencies of the distribution of a mechanical displacement and electrical potential over the plate thickness for electrically open and electrically shorted plates have been plotted. The influence of a layer with arbitrary conductivity placed on a one or on the both plate surfaces on the profiles under study, phase and group velocities of the forward and backward acoustic waves in X-Y potassium niobate has been also investigated. The obtained results can be useful for development of the method for control of a particle or electrical charge movement inside the piezoelectric plates, as well a sensor for definition of the thin film conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultrasonics - Volume 86, May 2018, Pages 6-13
Journal: Ultrasonics - Volume 86, May 2018, Pages 6-13
نویسندگان
I.E. Kuznetsova, I.A. Nedospasov, V.V. Kolesov, Z. Qian, B. Wang, F. Zhu,