کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8145478 1524093 2018 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Long-wave infrared emissivity characterization of vanadium dioxide-based multilayer structure on silicon substrate by temperature-dependent radiometric measurements
ترجمه فارسی عنوان
مشخصه اشباع مادون قرمز موج بلند در ساختار چند لایه بر پایه دی اکسید وانادیوم بر روی بستر سیلیکون با اندازه گیری های رادیومتری وابسته به دما
کلمات کلیدی
مواد تغییر فاز، دستگاه رادیاتور هوشمند رادیومتری تابش اشعه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
چکیده انگلیسی
This paper studies the IR properties of a VO2-based multilayer structure with an emittance that increase with the temperature. A good tunability of the emissivity in long-wave infrared spectral region (8-12 µm) has been detected, with a positive emissivity differential of about 0.2. The transition of the long wave emissivity ε with the temperature is fully reversible according to a hysteresis cycle, with a transition temperature of 67 °C and a thermal bandwidth of only 8 °C. The multilayer structure also shows two emission peaks both in the heating cycle and in the cooling cycle. This emittance performance is promising for the future development of passive thermal control systems of spacecrafts.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 93, September 2018, Pages 112-115
نویسندگان
, , , ,