کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8145846 1524096 2018 33 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe
چکیده انگلیسی
Dry etching techniques with minimal etch induced damage are required to develop highly anisotropic etch for pixel delineation of HgCdTe infrared focal plane arrays (IRFPAs). High density plasma process has become the main etching technique for HgCdTe in the past twenty years, In this paper, high density plasma electron cyclotron resonance (ECR) and inductively coupled plasma (ICP) etching of HgCdTe are summarized. Common plasma-etch-process induced type conversion and related mechanisms are reviewed particularly.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 90, May 2018, Pages 175-185
نویسندگان
, , , ,