کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8145846 | 1524096 | 2018 | 33 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dry etching techniques with minimal etch induced damage are required to develop highly anisotropic etch for pixel delineation of HgCdTe infrared focal plane arrays (IRFPAs). High density plasma process has become the main etching technique for HgCdTe in the past twenty years, In this paper, high density plasma electron cyclotron resonance (ECR) and inductively coupled plasma (ICP) etching of HgCdTe are summarized. Common plasma-etch-process induced type conversion and related mechanisms are reviewed particularly.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 90, May 2018, Pages 175-185
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 90, May 2018, Pages 175-185
نویسندگان
Lingfeng Liu, Yiyu Chen, Zhenhua Ye, Ruijun Ding,