کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8147109 | 1524118 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sub-nanosecond passively Q-switched Nd:YVO4/Cr4+:YAG microchip lasers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sub-nanosecond passively Q-switched microchip lasers based on Nd:YVO4 and Cr4+:YAG were reported. On the whole, 2 at.% doped Nd:YVO4 crystals exhibited better performance than 3 at.% doped crystals. The shortest pulse duration of 693 ps was obtained from a-cut, 2 at.% doped Nd:YVO4, and the highest peak power of 32 kW, largest pulse energy of 29 μJ were produced by c-cut, 2 at.% doped sample. These experiment results illustrate that Nd:YVO4 and Cr4+:YAG are good combination for producing sub-nanosecond, high peak power microchip lasers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 68, January 2015, Pages 197-200
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 68, January 2015, Pages 197-200
نویسندگان
Shuo Han, Yanqing Liu, Fang Zhang, Haohai Yu, Zhengping Wang, Qingtian Gu, Xinguang Xu,