کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8153093 | 1524762 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct epitaxial integration of the ferromagnetic semiconductor EuO with Si(1â¯1â¯1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Facing physical limits to further development, modern electronics explores alternative approaches. One of the most promising routes is offered by spintronics employing spin degree of freedom. Silicon spintronics is especially important due to the central technological role of Si. This technology requires non-equilibrium spin polarization in non-magnetic Si. The ferromagnetic semiconductor EuO has been justified as a promising candidate for electrical spin injection into Si. Here, we report the first fabrication of the EuO(1â¯1â¯1)/Si(1â¯1â¯1) structure - a magnetic material with a polar heterointerface - employing a special synthetic procedure. Structural characterization proves an atomically sharp interface and monocrystalline quality of the films while magnetic measurements match the bulk properties of EuO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 459, 1 August 2018, Pages 136-140
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 459, 1 August 2018, Pages 136-140
نویسندگان
Dmitry V. Averyanov, Ivan S. Sokolov, Andrey M. Tokmachev, Igor A. Karateev, Oleg A. Kondratev, Alexander N. Taldenkov, Oleg E. Parfenov, Vyacheslav G. Storchak,