Prevalence of information stored in arrays of magnetic nanowires against external fields

آرایه های نانوسیم های مغناطیسی در آلومینای متخلخل می تواند برای ذخیره اطلاعات ثبت شده در سیستم با جهت گیری مغناطش سیم های انتخاب شده در یک جهت مورد نظر استفاده شود، بنابراین نمادها می توانند به عنوان بخش های فرومغناطیسی خوانده شوند. با این حال، این اطلاعات مربوط به پیری است و اطلاعات ذخیره شده را می توان به تدریج از دست داد. در اینجا دو مکانیزم پیشنهاد شده برای بهبود شیوع اطلاعات ذخیره شده را مورد بررسی قرار می دهیم: در مقابل باند فرو مغناطیسی در مرکز نماد و نانوسیم های دو جداره ای که به عنوان دو لایه نانوسیم ها ذخیره می شوند همان اطلاعات را در بر می گیرند. هر دو مکانیسم ثابت می کنند مقاومت در برابر میدان های مغناطیسی خارجی برای سیم های نیکل در یک هندسه سازگار با نانوسیم های در حال رشد افزایش یافته است. مزایا و معایب این مکانیسم ها مورد بحث قرار گرفته است.