کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8203381 1530517 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Visualization of nanosecond laser-induced dewetting, ablation and crystallization processes in thin silicon films
ترجمه فارسی عنوان
تجسم نانو سی دی های لیزر ناشی از تجزیه، فرآیند تخلیه و کریستال شدن در فیلم های سیلیکونی نازک
کلمات کلیدی
تصویر حل شده با زمان، خنثی سازی هدایت شده با لیزر، اشعه لیزر پالس،
ترجمه چکیده
در این مقاله، کریستالیزاسیون لیزر پالس نانو، تخلیه و تخلیه فیلم های سیلیکونی آمورف نازک با استفاده از تصویربرداری زمانه حل شده است. پالس های لیزر با طول موج 532 نانومتر و عرض زمانی 7 نانومتری بر روی فیلم سیلیکون تابش می شوند. در زیر آستانه تخریب، فرایند کریستالیزاسیون پس از تابش اشعه لیزر 400 نان در نقطه مرکزی نقطه اتفاق می افتد. با افزایش فلوئورس لیزر، مشاهده می شود که فرایند تخلیه پس از تابش لیزر به 300 نرسیده نمی رسد، که ذرات قطره ای را در ناحیه مرکزی نقطه ایجاد می کند. در شدت لیزر بالاتر، حذف ماده آلومینیومی در مرکز نقطه ای رخ می دهد. رینگ های سیلندری در ناحیه خنثی محیطی به علت خنک شدن مواد حمل شده در حدود 500 نانومتر پس از قرار گرفتن در معرض پالس لیزر شکل می گیرند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش مقاله
تجسم نانو سی دی های لیزر ناشی از تجزیه، فرآیند تخلیه و کریستال شدن در فیلم های سیلیکونی نازک
چکیده انگلیسی
In the present work, nanosecond pulsed laser crystallization, dewetting and ablation of thin amorphous silicon films are investigated by time-resolved imaging. Laser pulses of 532 nm wavelength and 7 ns temporal width are irradiated on silicon film. Below the dewetting threshold, crystallization process happens after 400 ns laser irradiation in the spot central region. With the increasing of laser fluence, it is observed that the dewetting process does not conclude until 300 ns after the laser irradiation, forming droplet-like particles in the spot central region. At higher laser intensities, ablative material removal occurs in the spot center. Cylindrical rims are formed in the peripheral dewetting zone due to solidification of transported matter at about 500 ns following the laser pulse exposure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 382, Issue 23, 12 June 2018, Pages 1540-1544
نویسندگان
, , , ,