Thermal conductance of cylindrical semiconductor nanowires modulated with phonon cavity

ما در بررسی اثر حفره های فونون بر هدایت حرارتی نانوسیم های نیمه هادی استوانه ای با استفاده از روش ماتریس پراکنده در ترکیب با مدل پیوستگی موج الاستیک. نتایج ما نشان می دهد که حفره فونون می تواند هدایت حرارتی را به دلیل اتصال مدل بین حالت های فونون ایجاد شده در حفره فونون و حالت های فونون در تخلخل ها در دماهای پایین تر، افزایش دهد. همانطور که طول حفره فونون افزایش می یابد، انحطاط نوسانی هدایت حرارتی در دماهای بالا نمایش داده می شود. در مقایسه با حفره های فونون با سرعت موج پایین، حفره های فونون با سرعت موج بالاتر موجب کاهش هدایت حرارتی در دماهای بالا می شوند. تجزیه و تحلیل مختصر این نتایج داده شده است.