کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8204717 | 1530554 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A compact T-shaped nanodevice for charge sensing of a tunable double quantum dot in scalable silicon technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the fabrication and the characterization of a tunable complementary-metal oxide semiconductor (CMOS) system consisting of two quantum dots and a MOS single electron transistor (MOSSET) charge sensor. By exploiting a compact T-shaped design and few gates fabricated by electron beam lithography, the MOSSET senses the charge state of either a single or double quantum dot at 4.2 K. The CMOS compatible fabrication process, the simplified control over the number of quantum dots and the scalable geometry make such architecture exploitable for large scale fabrication of multiple spin-based qubits in circuital quantum information processing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 380, Issues 11â12, 11 March 2016, Pages 1205-1209
Journal: Physics Letters A - Volume 380, Issues 11â12, 11 March 2016, Pages 1205-1209
نویسندگان
M.L.V. Tagliaferri, A. Crippa, M. De Michielis, G. Mazzeo, M. Fanciulli, E. Prati,