Theoretical confirmation of the crystallization of a compound alloy using the AHP crystal growth method

The crystallization of InxGa1−xSb for x=0.06 by the AHP-method (Axial Heat flux, close to the Phase interface) is considered. Heavy indium is rejected during crystal growth close to the interface. Indium significantly decreases the crystallization temperature, and has an influence on the melt convection. The AHP-heater serves as a partition; due to this partition a small well-mixed liquid zone with high In concentration exists and causes a stable crystal growth with high composition after the crucible is moved down. The grown crystal is very homogeneous. Numerical modelling has also been performed, using finite difference schemes. To cite this article: M. Marchenko, C. R. Mecanique 335 (2007).

RésuméLa croissance cristalline du InxGa1−xSb pour x=0,06 par la méthode AHP (flux de chaleur axial proche de l'interface) est considérée. L'indium lourd est rejeté près de l'interface pendant la croissance du cristal. L'indium réduit de manière significative la température de cristallisation, et influence la convection dans le bain fondu. Le réchauffeur-AHP agit comme une cloison. En raison de cette cloison une zone réduite de liquide bien mélangé avec une haute concentration d'In existe et assure la croissance stable du cristal avec une composition élevée après déplacement du creuset vers le bas. Le cristal obtenu est très homogène. Un modèle numérique basé sur la méthode des différences finies a été également développé. Pour citer cet article : M. Marchenko, C. R. Mecanique 335 (2007).