کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
827440 | 908003 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effective carrier lifetime measurement in silicon: The conductivity modulation method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dark, gamma-induced conductivities and conductivity modulation in silicon material will be investigated for the development of carrier lifetime measurement. The present work includes a simple method for finding the carrier lifetime variation from the measured conductivity under dark and gamma irradiation conditions. It will be concluded that an improved material evaluation in the area of semiconductors and nano-materials are expected to improve the efficiency of solar cells and other opto-electronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of King Saud University - Science - Volume 22, Issue 1, January 2010, Pages 9-13
Journal: Journal of King Saud University - Science - Volume 22, Issue 1, January 2010, Pages 9-13
نویسندگان
Ussama A.I. Elani,