کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
865444 | 909668 | 2010 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Whole-Chip ESD Protection Design for RF and AMS ICs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
As integrated circuits (IC) technologies advance into very-deep-sub-micron (VDSM), electrostatic discharge (ESD) failure becomes one of the most devastating IC reliability problems and on-chip ESD protection design emerges as a major challenge to radio frequency (RF), analog, and mixed-signal (AMS) IC designs. This paper reviews key design aspects and recent advances in whole-chip ESD protection designs for RF/AMS IC applications in CMOS technologies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Tsinghua Science & Technology - Volume 15, Issue 3, June 2010, Pages 265-274
Journal: Tsinghua Science & Technology - Volume 15, Issue 3, June 2010, Pages 265-274
نویسندگان
Xin Wang, Siqiang Fan, Hui Zhao, Lin Lin, Qiang Fang, He Tang, Albert Wang,