کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
865812 | 909682 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of Busbars in High Power Neutral Point Clamped Three-Level Inverters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The busbars in high power neutral point clamped three-level inverters are modeled using the Maxwell Q3D Extractor software, which is based on the partial element equivalent circuits method. The equivalent circuits of the busbars and devices model are simulated in the electric simulator PSIM to analyze the effects of the parasitic inductance on the switching characteristics of the integrated gate commutated thyristor (IGCT) in different topology positions. The simulation results agree well with the measured impedance analyzer results and the IGCT test results, which proves the effectiveness of the modeling method for the large, complex busbars.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Tsinghua Science & Technology - Volume 13, Issue 1, February 2008, Pages 91-97
Journal: Tsinghua Science & Technology - Volume 13, Issue 1, February 2008, Pages 91-97
نویسندگان
Yi (æ è£), Zhao (èµµäºé¸£), Zhong (éçæ),