کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
865834 | 1470869 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reverse Programmed SONOS Memory Technique for 0.18 μm Embedded Utilization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A 4 Mb embedded silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory was developed with a 0.18 μm CMOS logic compatible technology. A reverse programming array architecture was proposed to reduce the chip area, enhance the operating window, and increase the read speed. The charge distribution was analyzed to optimize the programming and erase conditions considering both the operating speed and the endurance performance. The final test chip has a good endurance of 105 cycles and a data retention time of at least 10 years.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Tsinghua Science & Technology - Volume 12, Issue 6, December 2007, Pages 741-746
Journal: Tsinghua Science & Technology - Volume 12, Issue 6, December 2007, Pages 741-746
نویسندگان
Pan (æ½ç«é³), Sun (å ç£), Wu (ä¼ å¬), John (é å), Xu (许 å), Zhu (æ± é§),