کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9700816 1462130 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance and system-on-chip integration of an unmodified CMOS ISFET
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Performance and system-on-chip integration of an unmodified CMOS ISFET
چکیده انگلیسی
An ISFET fabricated by an unmodified, commercial CMOS process displays significant threshold voltage drift, which is attributed to the diffusion of hydrogen ions into the passivation layer. A 'stretched-exponential' model can compensate for the drift and produce a useful device with a sensitivity of 48 mV/pH. The CMOS ISFET has been used to create a complete 'system-on-chip' digital pH meter, capable of real-time drift compensation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volumes 111–112, 11 November 2005, Pages 254-258
نویسندگان
, ,