کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9700816 | 1462130 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance and system-on-chip integration of an unmodified CMOS ISFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
An ISFET fabricated by an unmodified, commercial CMOS process displays significant threshold voltage drift, which is attributed to the diffusion of hydrogen ions into the passivation layer. A 'stretched-exponential' model can compensate for the drift and produce a useful device with a sensitivity of 48âmV/pH. The CMOS ISFET has been used to create a complete 'system-on-chip' digital pH meter, capable of real-time drift compensation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volumes 111â112, 11 November 2005, Pages 254-258
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volumes 111â112, 11 November 2005, Pages 254-258
نویسندگان
P.A. Hammond, D.R. S. Cumming,