کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9834595 | 1524912 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetically pinned ring dots for spin valve or magnetic tunnel junction memory cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ni-Fe/Mn-Ir asymmetric ring dots with partially planed outer sides are investigated in order to confirm a method for obtaining pinned layers in magnetic memories with asymmetric ring shapes. Magnetic force microscopy revealed that the direction of vortical magnetization is pinned in Ni-Fe/Mn-Ir asymmetric ring dots despite the direction of the magnetic fields. This investigation shows that the Ni-Fe/Mn-Ir asymmetric ring dots can be applied to pinned layers in magnetic memories with asymmetric ring shapes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 286, February 2005, Pages 31-36
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 286, February 2005, Pages 31-36
نویسندگان
Ryoichi Nakatani, Tetsuo Yoshida, Yasushi Endo, Yoshio Kawamura, Masahiko Yamamoto, Takashi Takenaga, Sunao Aya, Takeharu Kuroiwa, Sadeh Beysen, Hiroshi Kobayashi,