کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9834603 | 1524912 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetic and structural properties of stoichiometric thin Fe3Si/GaAs(0Â 0Â 1) films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we report experimental results on the structural and magnetic properties of epitaxial Fe3Si films grown on GaAs(0 0 1) by co-evaporation. X-ray reflectivity shows that relatively smooth interfaces are obtained (roughness â0.7 nm for the Fe3Si/GaAs interface), while SQUID magnetometry yields a magnetic moment of 0.9μB/atom at room temperature, close to the bulk value. From magneto-optic Kerr effect measurements the cubic anisotropy constant was estimated as K1=3.1Ã104 erg/cm3. The electrical transport properties were also investigated by I-V and photoexcitation measurements, which show a Schottky behaviour (with a barrier height of 0.51 eV) and that spin detection is possible in this system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 286, February 2005, Pages 72-76
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 286, February 2005, Pages 72-76
نویسندگان
A. Ionescu, C.A.F. Vaz, T. Trypiniotis, C.M. Gürtler, M.E. Vickers, H. GarcÃa-Miquel, J.A.C. Bland,