![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns
Keywords: 81.05 یو; 81.05 Ea; 81.15.Hi; 81.16 Rf; 85.40 HpMolecular beam epitaxy; Nitrides; Selective area epitaxy