دانلود مقالات ISI درباره A1. In Situ Monitoring + ترجمه فارسی

Indirect in situ characterization of Si(1 0 0) substrates at the initial stage of III–V heteroepitaxy

Keywords: A1. In situ monitoring; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Si(100) surfacestructure; A1. Transmission electron microscopy; A3. Polar on non-polarepitaxy; B1. Gallium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

GaP(1 0 0) and InP(1 0 0) surface structures during preparation in a nitrogen ambient

Keywords: A1. In situ monitoring; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Surface reconstruction; A3. Alternative process gas; B1. Gallium phosphide; B1. Indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In situ monitoring of the growth procedure of InAs layer by spectral reflectance

Keywords: 68.55.−a; 81.15.Kk; 81.70.Fy; A1. In situ monitoring; A1. Spectral reflectance; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaAs; B1. InAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlGaInP growth parameter optimisation during MOVPE for opto-electronic devices

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; 78.20.Ci; 78.40.FyA1. Curvature; A1. In situ monitoring; A1. Reflectance; A3. Metal-organic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting AlGaInP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The kinetics of parasitic growth in GaAs MOVPE

Keywords: 81.05.Ea; 82.30.−b; 81.15.Gh; 81.15.KkA1. Growth kinetics; A1. In situ monitoring; A3. MOVPE; B2. GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Nitrogen content of GaAsN quantum wells by in situ monitoring during MOVPE growth

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Ea; 81.70.Fy; 78.67.De; A1. In situ monitoring; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Dilute nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ determination and control of AlGaInP composition during MOVPE growth

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.40.Fy; 78.66.Fd; A1. In situ monitoring; A3. Metalorganic vapour-phase epitaxy; B2. Semiconducting AlGaInP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ monitoring of growth rate and composition of AlGaInP and InGaAsP by reflection measurements in MOVPE

Keywords: 78.40.Fy; 78.20.Bh; 78.20.Ci; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.70.Fy; A1. Characterization; A1. In situ monitoring; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ monitoring of the stress evolution in growing group-III-nitride layers

Keywords: 62.20.Fe; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; A1. In situ monitoring; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B1. Group-III nitrides; B2. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه