دانلود مقالات ISI درباره A3. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy + ترجمه فارسی

Monolithic integration of Ga(NAsP)/(BGa)P multi-quantum well structures on (0 0 1) silicon substrate by MOVPE

Keywords: A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of polar and non-polar ZnO films grown by MOVPE

Keywords: A1. Crystal structure; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. ZnO films

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of dimethylhydrazine on Zn, C, and H doping of GaP

Keywords: 81.15.Kk; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.35.Bs; 68.55.Ac; 68.55.Ln; 61.71.Vv; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Heteroepitaxy of GaP on Si: Correlation of morphology, anti-phase-domain structure and MOVPE growth conditions

Keywords: 61.50.f; 61.72.nj; 68.37.Lp; 68.37.Ps; 81.05.EaA1. Crystal structure; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

GaAs1−xNx on GaAs(0 0 1): Nitrogen incorporation kinetics from trimethylgallium, tertiarybutylarsine, and 1,1-dimethylhydrazine organometallic vapor-phase epitaxy

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh.A1. Incorporation kinetics; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE

Keywords: 81.10.Bk; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Organo germanium compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fundamental chemistry and modeling of group-III nitride MOVPE

Keywords: A1. Fourier transform infrared spectroscopy; A1. Laser light scattering; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride; B1. Indium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reactor design optimization based on 3D modeling of nitrides deposition in MOCVD vertical rotating disc reactors

Keywords: 81.15.Gh; 82.20.WtA1. Computer simulation; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه