دانلود مقالات ISI درباره دوپینگ لایه اتمی + ترجمه فارسی

C and Si delta doping in Ge by CH3SiH3 using reduced pressure chemical vapor deposition

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; Chemical vapor deposition; Germanium; Methylsilane; Atomic layer doping; Delta layer

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Arsenic atomic layer doping in Si using AsH3

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; Chemical vapor deposition; Silicon; Atomic layer doping; Arsenic; Segregation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Phosphorus atomic layer doping in SiGe using reduced pressure chemical vapor deposition

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; Phosphorus; Atomic layer doping; Chemical vapor deposition; SiGe; Epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Phosphorus atomic layer doping in Ge using RPCVD

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; Phosphorus; Atomic layer doping; Ge; Chemical vapor deposition; Epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

B atomic layer doping of Ge

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; Ge; Epitaxy; B2H6; Atomic layer doping; CVD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Very low-temperature epitaxial growth of silicon and germanium using plasma-assisted CVD

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; Epitaxial growth; Chemical vapor deposition (CVD); Si; Ge; Electron-cyclotron resonance (ECR) plasma; Heterostructure; Strain; Atomic layer doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Base doping and dopant profile control of SiGe npn and pnp HBTs

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; 61.72.Tt; 66.30.Jt; 68.55.Ln; 81.15.Gh; 85.30.Pq; SiGe; HBT; Base doping; Atomic layer doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Atomic layer processing for doping of SiGe

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; SiGe; HBT; Epitaxy; Atomic layer doping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Si epitaxial growth on atomic-order nitrided Si(1 0 0) using electron cyclotron resonance plasma

Keywords: دوپینگ لایه اتمی; 81.15.Gh; 82.65.−I; 85.40.Ux; Electron-cyclotron resonance plasma; Atomic layer doping; Plasma-enhanced chemical vapor deposition; Silicon epitaxial growth; Nitrogen-doped silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه