Keywords: ثبات تقصیر; Thin film transistors; NZTO; Bias stability;
مقالات ISI ثبات تقصیر (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: ثبات تقصیر; Fiber optical gyroscope; Depolarizer; Bias stability
Effect of gate insulator thickness on device performance of InGaZnO thin-film transistors
Keywords: ثبات تقصیر; IGZO thin-film transistors; ALD Al2O3 gate insulator; Different thicknesses; Bias stability
IGZO thin film transistors with Al2O3 gate insulators fabricated at different temperatures
Keywords: ثبات تقصیر; IGZO thin film transistor; ALD Al2O3 gate insulator; Different deposition temperatures; Bias stability
ZrO2 insulator modified by a thin Al2O3 film to enhance the performance of InGaZnO thin-film transistor
Keywords: ثبات تقصیر; IGZO thin-film transistor; ZrO2–Al2O3 bilayer gate insulator; ALD; Bias stability
Improving the electrical performance of HfInZnO-TFTs by introducing a thin ITO interlayer
Keywords: ثبات تقصیر; ITO interlayer; HfInZnO-TFT; Bias stability
The influence of oxygen partial pressure on the performance and stability of Ge-doped InGaO thin film transistors
Keywords: ثبات تقصیر; Oxide semiconductor; Thin film transistor; Ge–In–Ga–O; Oxygen pressure; Bias stability
The Al2O3 gate insulator modified by SiO2 film to improve the performance of IGZO TFTs
Keywords: ثبات تقصیر; IGZO thin film transistor; ALD Al2O3 gate insulator; SiO2 modification; Bias stability
Microstructure and electrical properties of XInZnO (X = Ti, Zr, Hf) films and device performance of their thin film transistors—The effects of employing Group IV-B elements in place of Ga
Keywords: ثبات تقصیر; Thin film transistor; Transparent semiconductor oxide; Bias stability
SiOx interlayer to enhance the performance of InGaZnO-TFT with AlOx gate insulator
Keywords: ثبات تقصیر; Thin film transistor; InGaZnO; SiOx interlayer; Bias stability
Closed-loop compensation of the cross-coupling error in a quartz Coriolis Vibrating Gyro
Keywords: ثبات تقصیر; Angular rate gyro; Quadrature error; Bias stability; Closed-loop feedback