![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Thermal redistribution of hydrogen and boron in SiO2 in SiN-capped p-type MOSFET structures
Keywords: نفوذ بور; 66.30.Jt; 61.72.Ss; Boron penetration; Diffusivity; Secondary ion mass spectrometry;