Keywords: خاتمه لبه; Diamond; Edge termination; Floating metal guard rings; Schottky barrier diode; EBIC; Electrical properties; Field distribution;
مقالات ISI خاتمه لبه (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: خاتمه لبه; RSD (reversely switched dynistor); Pulsed power switch; 4H-SiC; Positive bevel; Edge termination; Breakdown voltage
Materials and processing issues in vertical GaN power electronics
Keywords: خاتمه لبه; Vertical GaN; Power transistor; Rectifier; Corner rounding; Edge termination; GaN-on-GaN; P-GaN activation; Implantation; Power electronics; Device processing;
Edge termination techniques for p-type diamond Schottky barrier diodes
Keywords: خاتمه لبه; Diamond; Schottky barrier diode; Edge termination; Field plate
Ruggedness analysis of 3.3 kV high voltage diodes considering various buffer structures and edge terminations
Keywords: خاتمه لبه; Free-wheeling diodes; Buffer structures; Edge termination; Filamentation; Dynamic avalanche; Device simulation
Edge termination strategies for a 4 kV 4H–SiC thyristor
Keywords: خاتمه لبه; SiC; Thyristor; Edge termination; Passivation; Forward blocking voltage
Design and fabrication of high breakdown voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes with floating metal ring edge terminations
Keywords: خاتمه لبه; Silicon carbide; Schottky barrier diodes; Breakdown voltage; Edge termination; Floating metal ring;
Design and optimization of junction termination extension (JTE) for 4H-SiC high voltage Schottky diodes
Keywords: خاتمه لبه; 85.30.De; 85.30.Hi; 73.40.Ns; 84.70.+p; 4H-SiC; Schottky diodes; Junction termination extension; Simulation; High-voltage termination; Edge termination;