Keywords: عمق فرار; Doping contrast; Secondary electron energy filtering; Sensitivity limit; Electric potentials; Escape depth; P-n junction; Surface band-bending;
مقالات ISI عمق فرار (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Probability of ionization of sputtered particles as a function of their energy: Part I: Negative Siâ ions
Keywords: عمق فرار; SIMS; Secondary ion yield; Energy distribution; Escape depth;
Experimental and theoretical studies on X-ray induced secondary electron yields in Ti and TiO2
Keywords: عمق فرار; 32.80.Fb; 34.80.Bm; 79.20.Hx; 79.20.Ap; 79.90.+b; Escape depth; Monte Carlo simulation; TiO2; X-ray induced secondary electrons;