![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
TCAD-based demonstration of improved spacer select gate EEPROM cell architecture
Keywords: تونل زدن Fowler-Nordheim; EEPROM; Fowler-Nordheim tunneling; Nonvolatile memory; Model; Capacitive coupling ratio; TCAD simulation;