![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Molecular beam epitaxy growth of GaN films on a tungsten carbide/Si template
Keywords: اپیتاکسی تیرهای مولکولی منبع گاز; Gas-source molecular beam epitaxy; Gallium nitride; Silicon; Tungsten carbide; Buffer layer;