Keywords: منحنی های I-V; Graphene nanoparticles; Optoelectronics; Density functional theory (DFT); Oxidation/reduction potential; Reorganization energy; Thermally activated delayed fluorescence (TADF); I-V curves; Thermoelectric coefficients;
مقالات ISI منحنی های I-V (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Integration of a calcium looping process (CaL) to molten carbonate fuel cells (MCFCs), as carbon concentration system: First findings
Keywords: منحنی های I-V; Calcium looping; CaL; Molten carbonate fuel cells; MCFC; CCS; CO2; Syngas; Greenhouse gases; COP21; ZECOMIX; Lumped model; CaO; Integration; EIS; I-V curves; Clean coal;
Electronic transport properties of thiol-ended Ge4, Sn2Ge2, and Sn4 nanoclusters: A DFT-NEGF study
Keywords: منحنی های I-V; Tin-germanium nanoclusters; NEGF formalism; Transmission coefficients; I-V curves; NDR effect;
Electrochemical performance of a solid oxide fuel cell with an anode based on Cu-Ni/CeO2 for methane direct oxidation
Keywords: منحنی های I-V; CuNi-CeO2/YSZ/LSF SOFC; Direct CH4 oxidation; I-V curves; Impedance spectra;
Observation of unusual irreversible/reversible effects in a macroscopic cylindrical hole drilled in superconducting Bi-Sr-Ca-Cu-O
Keywords: منحنی های I-V; 74.72. Hs; 74.25.Qt; Flux pinning; I-V curves; Type-II superconductors;
Effect of the spatial distribution of SiO2 thickness on the switching behavior of bistable MOS tunnel structures
Keywords: منحنی های I-V; MOS tunnel structure; Non-uniform oxide thickness distribution; Reverse bias; Bistability; I-V curves;
Molecular electron transfer of protein junctions characterised by conducting atomic force microscopy
Keywords: منحنی های I-V; Electron transfer; Conducting atomic force microscopy; I-V curves; Metalloprotein; Tunnelling;
Statistical analysis of tunnel currents in scaled MOS structures with a non-uniform oxide thickness distribution
Keywords: منحنی های I-V; MOS tunnel structure; SiO2 thickness variation; Gate size vs. non-uniformity length; I-V curves; Statistical analysis;