Keywords: نیترید گالیم; Indium gallium nitride; Nanowires; Vapor–liquid–solid; Plasma-assisted chemical vapor deposition
مقالات ISI نیترید گالیم (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Crack-free GaN-based ultraviolet multiple quantum wells structures grown on AlN/2° misoriented sapphire template
Keywords: نیترید گالیم; Gallium nitride; Indium gallium nitride; Multiple quantum wells; Aluminum nitride template; Crack-free; Optical property; Crystalline quality;
Effect of rapid thermal annealing on polycrystalline InGaN thin films deposited on fused silica substrates
Keywords: نیترید گالیم; Polycrystalline films; Indium gallium nitride; Fused silica substrate; Optical properties; Spectroscopic ellipsometry
Electrical and optical properties of transparent conducting InxGa1−xN alloy films deposited by reactive co-sputtering of GaAs and indium
Keywords: نیترید گالیم; Indium gallium nitride; Sputtering; Thin film; Electrical properties; Optical properties
Microstructural analysis of InGaN/GaN epitaxial layers of metal organic chemical vapor deposition on c-plane of convex patterned sapphire substrate
Keywords: نیترید گالیم; Microstructure; Metal organic chemical vapor deposition; Indium gallium nitride; Gallium nitride; Multi-quantum wells; Transmission electron microscopy;
Analytical model for the optical functions of indium gallium nitride with application to thin film solar photovoltaic cells
Keywords: نیترید گالیم; Indium gallium nitride; Optical function; Optical properties; Kramers–Kronig; Ellipsometry; Thin film; Photovoltaic materials
Optical absorption dependence on composition and thickness of InxGa1 − xN (0.05 < × < 0.22) grown on GaN/sapphire
Keywords: نیترید گالیم; Indium gallium nitride; Optical absorption; Crystalline defects; X-ray diffraction
Phase separation in thick InGaN layers – A quantitative, nanoscale study by pulsed laser atom probe tomography
Keywords: نیترید گالیم; Compound semiconductors; Indium gallium nitride; Spinodal decomposition; Phase separation; Atom probe
Improvement in light output intensity of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diode by SiO2/Si3N4 distributed Bragg reflectors and silver back mirror
Keywords: نیترید گالیم; Indium gallium nitride; Gallium nitride; Light emitting diodes; Silicon oxide; Silicon nitride; Distributed Bragg reflectors; Back mirror
The impact of trimethylindium treatment time during growth interruption on the carrier dynamics of InGaN/GaN multiple quantum wells
Keywords: نیترید گالیم; Trimethylindium (TMIn) treatment; Growth interruption; InGaN/GaN; Indium gallium nitride; Gallium nitride; Multiple quantum wells; Carrier dynamic; Photoluminescence
Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
Keywords: نیترید گالیم; Gallium Nitride; Indium Gallium Nitride; Cathodeluminescence; X-ray Diffraction; Metal-Organic Chemical Vapor Deposition