Keywords: GaN; MIS-HEMT; Surface treatment; Leakage current; Breakdown voltage; TMAH
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Review of bias-temperature instabilities at the III-N/dielectric interface
Keywords: PBTI; GaN; Interface; MIS-HEMT;
Noise characterization of enhancement-mode AlGaN graded barrier MIS-HEMT devices
Keywords: Low-frequency noise (LFN); Enhancement-mode (E-mode); MIS-HEMT; Breakdown voltage; Noise spectral density; Minimum noise figure (NFmin);
Analysis of slow de-trapping phenomena after a positive gate bias on AlGaN/GaN MIS-HEMTs with in-situ Si3N4/Al2O3 bilayer gate dielectrics
Keywords: AlGaN/GaN; MIS-HEMT; Slow traps; Reliability
Modeling the effect of thin gate insulators (SiO2, SiN, Al2O3 and HfO2) on AlGaN/GaN HEMT forward characteristics grown on Si, sapphire and SiC
Keywords: AlGAN/GaN; HEMT; MIS-HEMT; gate dielectric; self-heating