Keywords: لایه هسته ای; Titanium nitride; Nucleation layer; RF magnetron sputtering; Deposition rate; X-ray diffraction; Resistivity;
مقالات ISI لایه هسته ای (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Low-temperature and global epitaxy of GaN on amorphous glass substrates by molecular beam epitaxy via a compound buffer layer
Keywords: لایه هسته ای; III-nitrides; Quartz glass substrate; Low substrate temperature; Pre-orienting layer; Nucleation layer;
Standard pressure deposition of crack-free AlN buffer layer grown on c-plane sapphire by PALE technique via MOCVD
Keywords: لایه هسته ای; Aluminium nitride; Nucleation layer; Standard pressure deposition; Pulsed atomic-layer epitaxy; MOCVD;
Characterization of amorphous yttria layers deposited by aqueous solutions of Y-chelate alkoxides complex
Keywords: لایه هسته ای; Yttrium chelate solution; Chemical solution deposition; Yttria; Diffusion barrier; Nucleation layer; Yttrium alkoxides
Realization of high-resistance GaN by controlling the annealing pressure of the nucleation layer in metal-organic chemical vapor deposition
Keywords: لایه هسته ای; MOCVD; High-resistance GaN; Annealing pressure; Growth mechanism; Nucleation layer; Atomic force microscopy; X-ray rocking curves
Optimization of GaN nucleation layer deposition conditions on sapphire substrates in HVPE system
Keywords: لایه هسته ای; HVPE; Nucleation layer; Thick GaN layer; GaN; LT GaN