Keywords: مراکز دوباره سازی; Thermoluminescence (TL); Spectrally resolved thermoluminescence (SR-TL); Optically stimulated luminescence (OSL); Phosphorescence; Traps; Recombination centers;
مقالات ISI مراکز دوباره سازی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: مراکز دوباره سازی; Thermoluminescence (TL); Spectrally resolved thermoluminescence (SR-TL); Potassium chloride (KCl); Beta irradiation; Trap levels; Recombination centers;
Investigation of electrically-active defects in Sb2Se3 thin-film solar cells with up to 5.91% efficiency via admittance spectroscopy
Keywords: مراکز دوباره سازی; Sb2Se3 thin-film solar cell; Admittance spectroscopy; Defects; Recombination centers;
UV-induced formation of color centers in dispersed TiO2 particles: Effect of thermal treatment, metal (Al) doping, and adsorption of molecules
Keywords: مراکز دوباره سازی; Al-doped TiO2; Photocoloration; UV-induced coloration; Color enters; Adsorption of molecules; Photocatalytic determination using photocoloration; Thermal treatment; Electron traps; Hole traps; Electron-hole recombination; Recombination centers;
Swift heavy ion induced capacitance and dielectric properties of Ni/n-GaAs Schottky diode
Keywords: مراکز دوباره سازی; Schottky; Electronic energy loss; Defects; Traps; Recombination centers; Capacitance; Dielectric; Interfacial polarization
Photoconductivity relaxation processes in Cu1âxZnxInS2 solid solutions
Keywords: مراکز دوباره سازی; 72.20; 72.40; 72.80; 73.20; Cu1âxZnxIn2S4 solid solutions; Photoconductivity; Relaxation; Recombination centers;
Photoluminescence properties of Cu–Mn–In–S/ZnS core/shell quantum dots
Keywords: مراکز دوباره سازی; Quantum dots; Photoluminescence; Cu–Mn–In–S/ZnS; Recombination centers
Influence of radiation energy on the response of a bipolar power transistor tested as dosimeter in radiation processing
Keywords: مراکز دوباره سازی; 41.75.Fr; 61.80. Ed; 71.55âi; 85.30.Pq; Beam energy; Bipolar transistor; Electron irradiation; γ-irradiation; Recombination centers;