![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Physical, chemical and electrical characterisation of the diffusion of copper in silicon dioxide and prevention via a CuAl alloy barrier layer system
Keywords: مانع خودسازی; Self-forming barrier; Copper; Aluminium; XPS; ToF-SIMS; Capacitance; MOS; TEM; Diffusion; Interconnect; Ion mobility;