Keywords: جریان آستانه; Semiconductor; Quantum well; Laser field; Threshold current; Characteristic temperature
مقالات ISI جریان آستانه (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold current
Keywords: جریان آستانه; GaAs laser diodes; Threshold current; Divergence angle
Study on effect of quantum well number on performance characteristics of GaN-based vertical cavity surface emitting laser
Keywords: جریان آستانه; Vertical cavity surface emitting laser; Multiple quantum well; Semiconductor lasers; Distributed Bragg reflectors; Threshold current
Edge spontaneous emission from 850 nm vertical-cavity surface emitting lasers
Keywords: جریان آستانه; VCSEL; Threshold current; Edge spontaneous emission
Performance evaluation of VCSEL through single and multi mode fibers
Keywords: جریان آستانه; VCSEL; Temperature; Threshold voltage; Threshold current; Output power; DBR
Enhancement of terahertz Smith–Purcell radiation by two electron beams
Keywords: جریان آستانه; 41.60.Cr; 52.65.Rr; 07.57.HmTHz Smith–Purcell radiation; Two-beam interaction; Particle-in-cell simulation; Voltage ratio; Threshold current