Raman spectroscopy of porous silicon substrates

ما تاثیر زمان اچ کردن روی طیف رامان سیلیکون متخلخل تهیه شده با اچ کردن آنودا را بررسی کردیم. تخریب الکتروشیمیایی بستر با زمان اچینگ افزایش می یابد و همبستگی بین ریز ساختار ویفر سیلیکونی و شکل و موقعیت طیف های رامان آنها مشاهده شده است. تجزیه و تحلیل رامان نشان داده است که شدت باند سیلیکونی غالب رامان کاهش می یابد و پهنای باند به فرکانس پایین تر تغییر می کند، بسته به مورفولوژی نمونه. بنابراین ما معتقدیم که تخریب الکتروشیمیایی سطح زیربخشهای سی به تجزیه سطح منجر می شود.