کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
10147720 1646497 2018 5 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defects in hydrogen implanted SiC
ترجمه فارسی عنوان
نقص در هیدروژن سیم سیپلم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
چکیده انگلیسی
SiC is a widely used wide-bandgap semiconductor. Ion implantation is often employed in SiC for doping, defect engineering and transferring of SiC thin films on different substrates. To transfer SiC or to get freestanding thin SiC films by “smart-cut” [Appl. Phys. Lett. 112 (2018) 192102], a large fluence of hydrogen (proton) ion implantation will be applied. Here, we show the structure and defect properties in 6H-SiC single crystals after hydrogen implantation up to a fluence of 5 × 1016 cm−2 at different energies of ions. We present the characterization by Rutherford Backscattering/Channeling spectrometry, Raman spectroscopy and electron spin resonance. Upon H+ ion implantation, point defects are mainly created and cause the lattice vibration softening. Our analysis also suggests that H+ ion implantation induces less lattice disorder than heavy ions at fluences producing the same number of displacements per atom. We also discuss the possible nature of the point defects and their influence on the electrical properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 436, 1 December 2018, Pages 107-111
نویسندگان
, , , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت