کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10294371 512595 2005 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of defects on short circuit current density in p-i-n silicon solar cell
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The influence of defects on short circuit current density in p-i-n silicon solar cell
چکیده انگلیسی
The admittance analysis method has been used to calculate the collection efficiency and the short circuit current density in a-Si:H p-i-n Solar cell, as a function of the thickness of i-layer. It is evident that the results of the short circuit current can be used to determine the optimal thickness of the i-layer of a cell, and it will be more accurate in comparison with previous studies using a constant generation rate or an empirical exponential function for the generation of charge carriers throughout the i-layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Renewable Energy - Volume 30, Issue 2, February 2005, Pages 187-193
نویسندگان
, ,