کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10294371 | 512595 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of defects on short circuit current density in p-i-n silicon solar cell
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The admittance analysis method has been used to calculate the collection efficiency and the short circuit current density in a-Si:H p-i-n Solar cell, as a function of the thickness of i-layer. It is evident that the results of the short circuit current can be used to determine the optimal thickness of the i-layer of a cell, and it will be more accurate in comparison with previous studies using a constant generation rate or an empirical exponential function for the generation of charge carriers throughout the i-layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Renewable Energy - Volume 30, Issue 2, February 2005, Pages 187-193
Journal: Renewable Energy - Volume 30, Issue 2, February 2005, Pages 187-193
نویسندگان
Wagah F. Mohamad, Alhan M. Mustafa,