کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364706 | 871787 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance SOI CMOS pixel sensor with surrounding N+ trench electrode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High performance SOI CMOS pixel sensor with surrounding N+ trench electrode High performance SOI CMOS pixel sensor with surrounding N+ trench electrode](/preview/png/10364706.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 1, January 2015, Pages 42-47
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 1, January 2015, Pages 42-47
نویسندگان
Hai-fan Hu, Ying Wang, Hao Lan, Xin Luo, Yuntao Liu,