کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365332 | 872037 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High abstraction level permutational ESD concept analysis
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A simulation approach is presented that allows handling ESD simulation and analysis on a chip-level complexity. In a Monte-Carlo like permutational simulation approach, worst case ESD paths are identified. The simulator is embedded in an ESD analysis framework spanning from the chip protection description to an automated virtual HBM test routine with a respective fail reporting interface. The tools capabilities are demonstrated in the ESD analysis of a complex mixed-signal design.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 2, February 2005, Pages 313-321
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 2, February 2005, Pages 313-321
نویسندگان
M. Streibl, F. Zängl, K. Esmark, R. Schwencker, W. Stadler, H. Gossner, S. Drüen, D. Schmitt-Landsiedel,