کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365336 | 872037 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single event transient effects in a voltage reference
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The Single Event Transient response of the LM236 band gap voltage reference from Texas Instruments is analyzed through heavy ion experiments and simulation. The LM236 circuit calibration was performed using generic transistor parameters that were subsequently optimized using device and circuit simulations. This technique avoids the requirement for performing detailed device-level parameter extraction and simplifies the SET methodology for circuit calibration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 2, February 2005, Pages 355-359
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 2, February 2005, Pages 355-359
نویسندگان
P.C. Adell, R.D. Schrimpf, C.R. Cirba, W.T. Holman, X. Zhu, H.J. Barnaby, O. Mion,