کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365338 | 872037 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient analysis of the impact stage of wirebonding on Cu/low-K wafers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, transient mechanical responses of the Cu/low-K structure during the impact stage of the wirebonding process were investigated. Parametric studies were carried out to examine the effect of elastic moduli of different constituent materials on the potential of structural defect on the copper via and the pad. The analysis applied the explicit time integration scheme, which is feasible in dealing with the nonlinear transient structural behavior.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 2, February 2005, Pages 371-378
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 2, February 2005, Pages 371-378
نویسندگان
Chang-Lin Yeh, Yi-Shao Lai,