کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365350 | 872042 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of inhomogeneous negative bias temperature stress on p-channel MOSFETs of analog and RF circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The effect of inhomogeneous negative bias temperature stress (NBTS) applied to p-MOS transistors under analog and RF CMOS operating conditions is investigated. Experimental data of a 0.18 and 0.25 μm standard CMOS process are presented and an analytical model is derived to physically explain the effect of stress on the device characteristics. The impact of inhomogeneous NBTS on device lifetime is considered and compared to the homogeneous case.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 1, January 2005, Pages 39-46
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 1, January 2005, Pages 39-46
نویسندگان
Christian Schlünder, Ralf Brederlow, Benno Ankele, Wolfgang Gustin, Karl Goser, Roland Thewes,