کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365364 | 872042 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A function-fit model for the hard breakdown I-V characteristics of ultra-thin oxides in MOS structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A function-fit model for the hard breakdown current-voltage characteristics of ultra-thin oxides in metal-oxide-semiconductor structures based on the smoothing function concept is presented. The model is intended to capture the diode-like and resistance-like behaviours observed at low and high applied biases, respectively, by means of a simple, continuous and derivable function. These features make the proposed expression suited for circuit simulation environments. The effect of temperature on the model parameters is also analysed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 1, January 2005, Pages 175-178
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issue 1, January 2005, Pages 175-178
نویسندگان
E. Miranda, B. Brandala,