کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365670 | 872161 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Methodology for accurate extrapolation of InGaP/GaAs HBT safe operating area (SOA) for variations in emitter area and ballast resistor size
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The authors present a methodology for extrapolating the safe operating area for HBTs, accounting for variations in emitter area and ballast resistor size. Measurements of SOA curves for HBTs with varying emitter areas and ballast resistor sizes were made, and a simple mathematical extrapolation developed for other SOA curves. This extrapolation was successfully demonstrated as predicting a further SOA curve.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 12, December 2014, Pages 2682-2687
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 12, December 2014, Pages 2682-2687
نویسندگان
Robert S. Howell, Randall Lewis, H. George Henry, Harold Hearne, Deas Brown, Dale Dawson, Andris Ezis,