کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365730 | 872166 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Damage threshold determination and non-destructive identification of possible failure sites in PIN limiter
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we employ a circuit simulation tool to investigate the signature of the change in S-parameters curves with the degradation of PIN limiter circuit parameters. Unique correlations can be established for all the circuit parameters, and this provides a good way to identify possible failure sites before destructive physical analysis of the degraded limiters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 5, May 2014, Pages 960-964
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 5, May 2014, Pages 960-964
نویسندگان
Cher Ming Tan, Wen Zhi Yu,